PhotoMOSリレーの漏れ電流についてわかりやすく解説

本記事では、PhotoMOSリレーにおける漏れ電流の定義、参考例、印加電圧による変化、そして特注品について、わかりやすくご説明します。


はじめに
本記事では、PhotoMOSリレーにおける漏れ電流の定義、参考例、印加電圧による変化、そして特注品について、わかりやすくご説明します。

  1. 漏れ電流の定義
    PhotoMOSリレーの仕様には「開路時漏れ電流」という項目があります。

    スクリーンショット 2026-01-06 155121

    これは“LED電流を流さない状態において出力端子間に規定の電源電圧を印加した時、出力側に流れる電流”を指します。
    理想的には、OFF(接点オープン)状態のときは、電圧を印加しても電流は流れません。
    しかし、出力部が半導体(MOSFET)で構成されているため、どうしても微小な電流が流れてしまいます。
    この漏れる電流の数値が、仕様に「開路時漏れ電流」として記載されています。
    なお、b接点の場合もOFF(接点オープン)状態の時の電流値です。​
    但し、入力側のLEDには電流が入っており、動作している状態です。​

     

  2. 漏れ電流の仕様値参考例
    開路時漏れ電流の参考例として2シリーズ紹介いたします。

    特長 品番例 漏れ電流(最大)
    汎用タイプ AQY212S 1 μA
    RFタイプ(高周波対応) AQY222R2V 10 nA
※1. 漏れ電流はVmax(絶対最大定格)で測定しています。
※2. RFタイプは高周波特性に優れており、漏れ電流が汎用タイプと比較して小さいです。


  1. 印加電圧による漏れ電流の変化
    印加する電圧の大きさによって、漏れ電流は変化します。

    スクリーンショット 2026-01-06 155903

    データシートに参考データとして「開路時漏れ電流-負荷電圧特性」の記載があります。
    負荷電圧によって漏れ電流がどのように変化するかを確認することが可能です。

     

  2. 特注品について
    検査機でPhotoMOSリレーを使用する場合、漏れ電流が大きいと測定分解能に影響が出る可能性があります。
    特注品として、標準品より漏れ電流が小さい商品をご提案できる場合がございます。
    ご要望の仕様を満たすものがない場合も、一度弊社営業担当までお問い合わせ下さい。

まとめ
PhotoMOSリレーは半導体であるMOSFETの性質上、漏れ電流が微小ながら発生します。
漏れ電流の仕様を確認し、用途に合わせて汎用タイプやRFタイプを選定下さい。
また参考データにより、負荷電圧による漏れ電流の変化を確認可能です。

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