近年の半導体高性能化により、その半導体をテストする条件も高度化・複雑化が進んでいます。
半導体(DUT)をテストするためには、半導体計測器(ATE)につなぐ必要がありますが、その際には治具(プローブカード等)が必要になります。
ATEだけでなく、プローブカード等に正しいテストをするためには、様々な要素(微小信号や高温動作、動作速度等)を満たす対応が求められています。
プローブカードなどのテスト治具には、信号の切り替えを行うスイッチ素子が欠かせません。
そのようなスイッチ素子としては、誤動作が起きないよう、絶縁しながら信号の切替ができる、機械式リレーやリードリレーなどが、長年にわたり多くの現場で使用されてきました。
しかし、機械式リレーやリードリレーでは、現在の半導体テスト環境の進化にともない、以下のような課題も顕在化しています。
動作が遅く、テスト全体のスループットを下げてしまう
機械的な接点の劣化により、寿命が短く、定期交換が必要
実装サイズが大きく、レイアウト設計が難しい
こうした課題は、特に量産フェーズでのスループット確保や、複雑な治具レイアウト設計の現場で深刻です。
これらの課題に対し、**半導体スイッチ素子である「PhotoMOSリレー」**が新たな選択肢として注目されています。
PhotoMOSは以下のような特長を持ち、従来の機械式リレーや、リードリレーでは対応しづらかったニーズをカバーします。
課題 | PhotoMOSの特長 | 効果 |
---|---|---|
スイッチの動作が遅い | 高速スイッチング(数ms→μs) | テスト時間の短縮 |
リレーがすぐ壊れる | 接点劣化なし・長寿命 | メンテ工数/コスト削減 |
実装が厳しい | 小型・薄型パッケージ | 多チャンネル・高密度化に対応 |
PhotoMOSリレーを治具に採用いただくことで、下記のお役立ちがございます。
多ピン化・高密度実装により、検査タクトの大幅向上
接点寿命がないため、半導体検査装置の、長期間の連続稼働を実現
テスト切り替えタイミングがシビアな測定にも対応
PhotoMOSリレーについて1冊にまとめたセレクションガイドは下記よりDL可能です。
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