パナソニック インダストリーで、信号制御用リレーのマーケティングを担当している片上です。
【PhotoMOS®通信】は、PhotoMOSリレーやシグナルリレーなどの信号制御用リレーの選定や、それらのリレーを活用した製品設計にお役立ちいただける情報をご紹介していきます。
※「PhotoMOS」「フォトモス」「PhotoMOSリレー」「フォトモスリレー」はパナソニック ホールディングス (株) の商標です。
PhotoMOSリレーの内部構造について
前回の
こちらがPhotoMOSリレーの内部構造になります。（この画像は２重モールド品の画像です）
この画像から分かる通り、LEDがPhotoMOSリレーの上側、下側に光電素子、MOSFETと並んでいます。 LEDは光電素子と向き合う形、つまり対向構造となっています。
対向構造を選定している理由
LEDと光電素子の配置としては、対面だけでなく、横並び水平に置くやり方もあります。 対向構造は光結合効率が高いため、PhotoMOSリレーの構造に採用されています。LEDの光が反射等の必要もなく、直接光電素子に届くため、効率よく光から電気への変換が可能です。
付録：CCタイプについて
PhotoMOSリレーにはLEDではなく、容量絶縁方式を採用したCCタイプをご用意しています。
こちらは、LEDで駆動しないため対向構造にする必要がなく、その分高さが低くできるという特長があります。
参考記事：最も背の低いPhotoMOSリレーをご存知でしょうか？
まとめ
CCタイプ以外のPhotoMOSリレーは、基本的にLEDと光電素子を上下に配置した対向構造となっています。 この構造にすることで光結合効率を高め、現在のPhotoMOSリレーの性能を実現しています。
今回ご紹介した内容はいかがだったでしょうか？
みなさまの製品設計や部品選定のお役に立てれば幸いです。
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