前回の記事では、PhotoMOSリレーに発生しうる主な故障モードと、その原因となる使用条件についてご紹介しました。
今回は、PhotoMOSリレーの故障を防ぐための具体的な対策として、「入力側・出力側の保護」と「静電気対策」の2つについてご紹介します。
PhotoMOSリレーの入力側・出力側での故障を防ぐため、使用条件に応じて保護素子を設けることを推奨しています。
入力側では、電源を逆接続するとLEDに逆電圧が加わり、故障につながるおそれがあります。
そのため、ダイオードを接続することで、逆接続時にLEDへ加わる逆電圧を抑えることができます。
一方、出力側では、誘導負荷の開閉や外来サージなどにより、一時的に大きな電圧が加わる場合があります。
このような過電圧への対策として、クランプダイオード、R-Cスナバー、バリスタなどの保護素子を設ける方法があります。
適切な対策は、負荷の種類や回路構成、使用条件などによって異なります。
ご検討の際は、当社の使用上の注意事項をご確認いただくか、当社営業担当までお問い合わせください。
PhotoMOSリレーは半導体製品のため、静電気にも注意が必要です。
人体や作業設備などで発生した静電気がPhotoMOSリレーの端子に放電されると、内部素子が破壊される「静電破壊」が発生するおそれがあります。
そのため、PhotoMOSリレーを取り扱う際は、以下のような静電気対策を行ってください。
これらの対策を行うことで、PhotoMOSリレーへの静電気の影響を抑え、静電破壊による故障リスクを低減することができます。
PhotoMOSリレーを安定してご使用いただくためには、定格や推奨動作条件を守ることに加えて、実際の使用環境や取り扱い時に発生する異常電圧や静電気への対策も重要です。
入力側・出力側では使用条件に応じた保護素子を設け、取り扱い時には適切な静電気対策を行うことで、故障リスクを低減することができます。
PhotoMOSリレーをご使用の際は、回路設計だけでなく、製造・保管・運搬時の取り扱いについてもご確認ください。